Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -65V | -120A | 298W | 53ns
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -65V | -120A | 298W | 53ns
EB Kods: EB956550973
Ražotāja preces kods: IXTH120P065T
Ražotāja preces kods:
IXTH120P065T
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
10,77 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchP™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -65V |
Drain current | -120A |
Power dissipation | 298W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±15V |
On-state resistance | 10mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 185nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 53ns |