Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -100V | -195A | 390W | 200ns
Transistor: P-MOSFET | TrenchP™ | unipolar | -100V | -195A | 390W | 200ns
EB Kods: EB1300220138
Ražotāja preces kods: IXTR210P10T
Ražotāja preces kods:
IXTR210P10T
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
40,33 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchP™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -195A |
Power dissipation | 390W |
Case | ISOPLUS247™ |
Gate-source voltage | ±15V |
On-state resistance | 8mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 740nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 200ns |