Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -2.6A | 5W | SO8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -2.6A | 5W | SO8
EB Kods: EB901822007
Ražotāja preces kods: SI9407BDY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI9407BDY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,53 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -2.6A |
Power dissipation | 5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22nC |
Kind of channel | enhanced |