Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -2.1A | Idm: -12A | 1.2W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -2.1A | Idm: -12A | 1.2W
EB Kods: EB136553112
Ražotāja preces kods: BXT3800P06M
Ražotāja preces kods:
BXT3800P06M
Ražotājs, zīmols: BRIDGELUX
Ražotājs, zīmols:
BRIDGELUX
0,39 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -2.1A |
Pulsed drain current | -12A |
Power dissipation | 1.2W |
Case | SOT23-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.55Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 11nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |