Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -400V | -125mA | Idm: -1.2A | 1.6W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -400V | -125mA | Idm: -1.2A | 1.6W
EB Kods: EB547926793
Ražotāja preces kods: TP2540N8-G
Ražotāja preces kods:
TP2540N8-G
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
2,29 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -400V |
Drain current | -125mA |
Pulsed drain current | -1.2A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT89-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 25Ω |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |