Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -5A | Idm: -20A | 1.1W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -5A | Idm: -20A | 1.1W | SOT23
EB Kods: EB624417012
Ražotāja preces kods: SI2347DS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2347DS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,57 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -5A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 1.1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 42mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |