Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -4A | 1.6W | SuperSOT-6
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -4A | 1.6W | SuperSOT-6
EB Kods: EB2054194963
Ražotāja preces kods: FDC658P
Ražotāja preces kods:
FDC658P
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
0,77 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -4A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SuperSOT-6 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 80mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 12nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |