Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -3.2A | Idm: -14.4A | 1.1W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -3.2A | Idm: -14.4A | 1.1W
EB Kods: EB1196965079
Ražotāja preces kods: ZXMP3A17E6TA
Ražotāja preces kods:
ZXMP3A17E6TA
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,95 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -3.2A |
Pulsed drain current | -14.4A |
Power dissipation | 1.1W |
Case | SOT26 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 70mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |