Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.7A | Idm: -16.4A | 1.51W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -2.7A | Idm: -16.4A | 1.51W
EB Kods: EB1948468099
Ražotāja preces kods: BXT600P03M
Ražotāja preces kods:
BXT600P03M
Ražotājs, zīmols: BRIDGELUX
Ražotājs, zīmols:
BRIDGELUX
0,37 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -2.7A |
Pulsed drain current | -16.4A |
Power dissipation | 1.51W |
Case | SOT23-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 85mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 6.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |