Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -13.9A | Idm: -60A | 33W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -13.9A | Idm: -60A | 33W
EB Kods: EB45634856
Ražotāja preces kods: SI7617DN-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI7617DN-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,24 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -13.9A |
Pulsed drain current | -60A |
Power dissipation | 33W |
Case | PowerPAK® 1212-8 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 12.3mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 59nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |