Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -7.4A | Idm: -29.6A | 2W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -7.4A | Idm: -29.6A | 2W
EB Kods: EB171668283
Ražotāja preces kods: PJS6421_S1_00001
Ražotāja preces kods:
PJS6421_S1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -7.4A |
Pulsed drain current | -29.6A |
Power dissipation | 2W |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 40mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 16.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |