Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -1.2A | 890mW | SOT23,TO236AB
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -1.2A | 890mW | SOT23,TO236AB
EB Kods: EB1469260177
Ražotāja preces kods: BSH205G2R
Ražotāja preces kods:
BSH205G2R
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
0,40 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -1.2A |
Power dissipation | 0.89W |
Case | SOT23 |
Case | TO236AB |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.6Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 6.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |