Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -150V | -1A | Idm: -4A | 1.8W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -150V | -1A | Idm: -4A | 1.8W | SOT23
EB Kods: EB1479133132
Ražotāja preces kods: WM15P10M2
Ražotāja preces kods:
WM15P10M2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,70 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -150V |
Drain current | -1A |
Pulsed drain current | -4A |
Power dissipation | 1.8W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.85Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 9.6nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |