Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -8.8A | Idm: -15A | 32.1W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -8.8A | Idm: -15A | 32.1W
EB Kods: EB1556455102
Ražotāja preces kods: SUD09P10-195-GE3
Ražotāja preces kods:
SUD09P10-195-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,19 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -8.8A |
Pulsed drain current | -15A |
Power dissipation | 32.1W |
Case | DPAK |
Case | TO252 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.195Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 34.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |