Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -50A | 300W | TO268 | 180ns
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -100V | -50A | 300W | TO268 | 180ns
EB Kods: EB1345314118
Ražotāja preces kods: IXTT50P10
Ražotāja preces kods:
IXTT50P10
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
14,93 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -100V |
Drain current | -50A |
Power dissipation | 300W |
Case | TO268 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 55mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.14µC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Reverse recovery time | 180ns |