Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -12A | Idm: -30A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -40V | -12A | Idm: -30A
EB Kods: EB2114208752
Ražotāja preces kods: SIA441DJ-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SIA441DJ-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,67 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -40V |
Drain current | -12A |
Pulsed drain current | -30A |
Power dissipation | 19W |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 65mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 35nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |