Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -7.5A | Idm: -50A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -7.5A | Idm: -50A
EB Kods: EB553054651
Ražotāja preces kods: SI2393DS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2393DS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,75 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -7.5A |
Pulsed drain current | -50A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SOT23 |
On-state resistance | 33mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 25.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |