Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -18.6A | Idm: -60A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -18.6A | Idm: -60A
EB Kods: EB1647276848
Ražotāja preces kods: SI4463CDY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI4463CDY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,27 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -18.6A |
Pulsed drain current | -60A |
Power dissipation | 5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 14mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 162nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |