Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -13.4A | Idm: -40A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -13.4A | Idm: -40A
EB Kods: EB1197991112
Ražotāja preces kods: SI4403CDY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI4403CDY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,04 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -13.4A |
Pulsed drain current | -40A |
Power dissipation | 5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 25mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 90nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |