Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -8A | Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -8A | Idm: -20A
EB Kods: EB906952537
Ražotāja preces kods: SI3473CDV-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI3473CDV-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,12 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -12V |
Drain current | -8A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 4.2W |
Case | TSOP6 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 36mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 65nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |