Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -5.3A | Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -5.3A | Idm: -20A
EB Kods: EB1965795925
Ražotāja preces kods: SI2333DS-T1-E3
Ražotāja preces kods:
SI2333DS-T1-E3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,19 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -12V |
Drain current | -5.3A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 59mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 18nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |