Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | Trench | unipolar | -60V | -230mA | Idm: -0.92A
Transistor: P-MOSFET | Trench | unipolar | -60V | -230mA | Idm: -0.92A
EB Kods: EB397758621
Ražotāja preces kods: BSS84AHZGT116
Ražotāja preces kods:
BSS84AHZGT116
Ražotājs, zīmols: ROHM SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,47 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -60V |
Drain current | -0.23A |
Pulsed drain current | -0.92A |
Power dissipation | 0.35W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 6.4Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |