Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | Trench | unipolar | -12V | -6A | Idm: -20A | 1.1W
Transistor: P-MOSFET | Trench | unipolar | -12V | -6A | Idm: -20A | 1.1W
EB Kods: EB1462883784
Ražotāja preces kods: SI2333-TP
Ražotāja preces kods:
SI2333-TP
Ražotājs, zīmols: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Ražotājs, zīmols:
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
0,24 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -12V |
Drain current | -6A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 1.1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 14nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |