Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 60A | Idm: 350A | 460W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 60A | Idm: 350A | 460W
EB Kods: EB1394894046
Ražotāja preces kods: WMJ99N60F2
Ražotāja preces kods:
WMJ99N60F2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
35,35 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600V |
| Drain current | 60A |
| Pulsed drain current | 350A |
| Power dissipation | 460W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 25.5mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 174nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |