Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 20A | Idm: 100A | 277W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 20A | Idm: 100A | 277W
EB Kods: EB1048601527
Ražotāja preces kods: WMK36N60F2
Ražotāja preces kods:
WMK36N60F2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
6,43 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | WMOS™ F2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 20A |
Pulsed drain current | 100A |
Power dissipation | 277W |
Case | TO220-3 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.11Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 46nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |