Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 13A | Idm: 65A | 160W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 13A | Idm: 65A | 160W
EB Kods: EB1582420142
Ražotāja preces kods: WMJ28N60F2
Ražotāja preces kods:
WMJ28N60F2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
7,70 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ F2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600V |
| Drain current | 13A |
| Pulsed drain current | 65A |
| Power dissipation | 160W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 27.3nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |