Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 800V | 10A | Idm: 40A | 215W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 800V | 10A | Idm: 40A | 215W
EB Kods: EB538900846
Ražotāja preces kods: WMJ10N80D1
Ražotāja preces kods:
WMJ10N80D1
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
2,59 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ D1 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800V |
| Drain current | 10A |
| Pulsed drain current | 40A |
| Power dissipation | 215W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 910mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 33nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |