Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 1.2kV | 3A | Idm: 12A
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 1.2kV | 3A | Idm: 12A
EB Kods: EB210261821
Ražotāja preces kods: WMJ3N120D1
Ražotāja preces kods:
WMJ3N120D1
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
2,34 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ D1 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 3A |
| Pulsed drain current | 12A |
| Power dissipation | 156.2W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 6.3Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 22.2nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |