Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 1.2kV | 3A | Idm: 12A

EB Kods: EB210261821

Ražotāja preces kods: 
WMJ3N120D1

Ražotājs, zīmols: 
WAYON

 2,40 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current3A
Pulsed drain current12A
Power dissipation156.2W
CaseTO247-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance6.3Ω
MountingTHT
Gate charge22.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced