Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 125A | Idm: 500A | 347.2W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 125A | Idm: 500A | 347.2W
EB Kods: EB1316347125
Ražotāja preces kods: WMK110N20HG2
Ražotāja preces kods:
WMK110N20HG2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
7,32 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 125A |
Pulsed drain current | 500A |
Power dissipation | 347.2W |
Case | TO220-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 11mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 73.8nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |