Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 900V | 2.8A | 205W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 900V | 2.8A | 205W | TO220AB
EB Kods: EB671786239
Ražotāja preces kods: FQP9N90C
Ražotāja preces kods:
FQP9N90C
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
5,48 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | QFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 900V |
Drain current | 2.8A |
Power dissipation | 205W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 1.4Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 58nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |