Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 8A | Idm: 50.4A | 300W | TO3PN
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 8A | Idm: 50.4A | 300W | TO3PN
EB Kods: EB1979420330
Ražotāja preces kods: FQA13N80-F109
Ražotāja preces kods:
FQA13N80-F109
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
5,93 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800V |
| Drain current | 8A |
| Pulsed drain current | 50.4A |
| Power dissipation | 300W |
| Case | TO3PN |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.75Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 88nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |