Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 6.6A | 190W | TO220-3 | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 6.6A | 190W | TO220-3 | ESD
EB Kods: EB5003860
Ražotāja preces kods: STP12NK80Z
Ražotāja preces kods:
STP12NK80Z
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
5,24 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SuperMesh™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 6.6A |
Power dissipation | 190W |
Case | TO220-3 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.75Ω |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |