Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 2.47A | Idm: 15.6A | 130W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 2.47A | Idm: 15.6A | 130W
EB Kods: EB205783839
Ražotāja preces kods: FQP4N80
Ražotāja preces kods:
FQP4N80
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
2,32 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 2.47A |
Pulsed drain current | 15.6A |
Power dissipation | 130W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 3.6Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 25nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |