Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 650V | 6.4A | Idm: 25.6A | 125W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 650V | 6.4A | Idm: 25.6A | 125W
EB Kods: EB303565179
Ražotāja preces kods: STP9NK65Z
Ražotāja preces kods:
STP9NK65Z
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
1,72 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 650V |
Drain current | 6.4A |
Pulsed drain current | 25.6A |
Power dissipation | 125W |
Case | TO220-3 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 1.2Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 41nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |