Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 650V | 2A | Idm: 9.6A | 38W | TO251
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 650V | 2A | Idm: 9.6A | 38W | TO251
EB Kods: EB127605011
Ražotāja preces kods: SPU03N60C3BKMA1
Ražotāja preces kods:
SPU03N60C3BKMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,25 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | CoolMOS™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 650V |
Drain current | 2A |
Pulsed drain current | 9.6A |
Power dissipation | 38W |
Case | TO251 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 1.4Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 2nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |