Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 650V | 15.5A | Idm: 96A | 190W | TO247
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 650V | 15.5A | Idm: 96A | 190W | TO247
EB Kods: EB1650852440
Ražotāja preces kods: STW33N60DM2
Ražotāja preces kods:
STW33N60DM2
Ražotājs, zīmols: STMicroelectronics
Ražotājs, zīmols:
STMicroelectronics
8,67 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 650V |
Drain current | 15.5A |
Pulsed drain current | 96A |
Power dissipation | 190W |
Case | TO247 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 0.11Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 43nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |