Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 90A | Idm: 200A | 100W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 90A | Idm: 200A | 100W | TO220AB
EB Kods: EB126521626
Ražotāja preces kods: DMNH6008SCT
Ražotāja preces kods:
DMNH6008SCT
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
2,79 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 90A |
Pulsed drain current | 200A |
Power dissipation | 100W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 6mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 21nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |