Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 81A | 170W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 81A | 170W | TO220AB
EB Kods: EB519262665
Ražotāja preces kods: IRF1010EPBF
Ražotāja preces kods:
IRF1010EPBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,67 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 81A |
Power dissipation | 170W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 12mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 86.6nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |