Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 9.6A | Idm: 39A | 180W | TO247AC

EB Kods: EB561077605

Ražotāja preces kods: 
SIHG15N60E-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

5,51 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current9.6A
Pulsed drain current39A
Power dissipation180W
CaseTO247AC
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.28Ω
MountingTHT
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced