Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 19A | Idm: 89A | 219W | TO247-3

EB Kods: EB92636627

Ražotāja preces kods: 
APT30N60BC6

Ražotājs, zīmols: 
MICROCHIP TECHNOLOGY

 12,14 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current19A
Pulsed drain current89A
Power dissipation219W
CaseTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.125Ω
MountingTHT
Gate charge88nC
Kind of channelenhanced