Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 6.6A | Idm: 121A | 114W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 6.6A | Idm: 121A | 114W | TO220AB
EB Kods: EB1334065787
Ražotāja preces kods: SIHP12N50E-GE3
Ražotāja preces kods:
SIHP12N50E-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
2,52 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 500V |
Drain current | 6.6A |
Pulsed drain current | 121A |
Power dissipation | 114W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.38Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 50nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |