Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 5.1A | Idm: 32A | 125W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 5.1A | Idm: 32A | 125W | TO220AB
EB Kods: EB1386100173
Ražotāja preces kods: IRF840APBF
Ražotāja preces kods:
IRF840APBF
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
2,76 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 500V |
Drain current | 5.1A |
Pulsed drain current | 32A |
Power dissipation | 125W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.85Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 38nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Heatsink thickness | 1.14...1.4mm |