Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 260A | 230W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 260A | 230W | TO220AB
EB Kods: EB1719411164
Ražotāja preces kods: IRLB3813PBF
Ražotāja preces kods:
IRLB3813PBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,47 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 260A |
Power dissipation | 230W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 1.95mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 57nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | logic level |