Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 300V | 35A | Idm: 236A | 500W | TO3PN
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 300V | 35A | Idm: 236A | 500W | TO3PN
EB Kods: EB1746793023
Ražotāja preces kods: FDA59N30
Ražotāja preces kods:
FDA59N30
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
5,91 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 300V |
Drain current | 35A |
Pulsed drain current | 236A |
Power dissipation | 500W |
Case | TO3PN |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 56mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 0.1µC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |