Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 250V | 66A | Idm: 370A | 520W | TO247AC
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 250V | 66A | Idm: 370A | 520W | TO247AC
EB Kods: EB748354032
Ražotāja preces kods: IRFP4768PBFXKMA1
Ražotāja preces kods:
IRFP4768PBFXKMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
4,49 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 250V |
Drain current | 66A |
Pulsed drain current | 370A |
Power dissipation | 520W |
Case | TO247AC |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 17.5mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 180nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |