Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 250V | 35A | Idm: 236A | 392W | TO3PN
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 250V | 35A | Idm: 236A | 392W | TO3PN
EB Kods: EB867112745
Ražotāja preces kods: FDA59N25
Ražotāja preces kods:
FDA59N25
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
5,54 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 250V |
Drain current | 35A |
Pulsed drain current | 236A |
Power dissipation | 392W |
Case | TO3PN |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 49mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 82nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |