Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 65A | 190W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 65A | 190W | TO220AB
EB Kods: EB421017573
Ražotāja preces kods: IRFB4227PBF
Ražotāja preces kods:
IRFB4227PBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
4,32 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 65A |
Power dissipation | 190W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 26mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 70nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |