Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 60A | 500W | TO3P | 118ns
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 200V | 60A | 500W | TO3P | 118ns
EB Kods: EB1785832710
Ražotāja preces kods: IXTQ60N20T
Ražotāja preces kods:
IXTQ60N20T
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
6,18 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 60A |
Power dissipation | 500W |
Case | TO3P |
On-state resistance | 40mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 73nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Reverse recovery time | 118ns |