Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1kV | 6A | Idm: 37A | 335W | TO247-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1kV | 6A | Idm: 37A | 335W | TO247-3
EB Kods: EB2068436286
Ražotāja preces kods: APT9M100B
Ražotāja preces kods:
APT9M100B
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
10,62 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 3 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | POWER MOS 8® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Drain current | 6A |
| Pulsed drain current | 37A |
| Power dissipation | 335W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1.4Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 80nC |
| Kind of channel | enhanced |