Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1kV | 3A | 125W | TO247-3 | 820ns

EB Kods: EB524106153

Ražotāja preces kods: 
IXTH3N100P

Ražotājs, zīmols: 
IXYS

 7,66 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current3A
Power dissipation125W
CaseTO247-3
MountingTHT
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time820ns